記者黃仁杰／編譯
美光（Micron）宣布，已正式啟動HBM4記憶體、PCIe Gen6資料中心SSD與SOCAMM2記憶體模組的量產出貨，並全面支援輝達（NVIDIA）新一代AI平台「Vera Rubin」。隨著AI算力需求持續攀升，記憶體與儲存技術正成為決定系統效能的關鍵。
此次量產產品涵蓋多項次世代規格，其中HBM4被視為AI運算的核心關鍵，美光也藉此強化與輝達在AI生態系的合作關係。
HBM4頻寬突破2.8TB/s 效能與能效同步提升
美光表示，HBM4 36GB 12層堆疊（12H）產品已於2026年第一季開始量產，資料傳輸速度超過每pin 11Gb/s，整體頻寬達2.8TB/s以上，相較前一代HBM3E，頻寬提升約2.3倍，能源效率也提升超過20%。
此外，美光也展示更高容量版本HBM4，已向客戶提供48GB 16層堆疊（16H）樣品，相較36GB版本容量再提升33%，顯示HBM堆疊技術持續進化。
首款PCIe Gen6 SSD量產 鎖定AI資料中心需求
在儲存方面，美光同步推出業界首款進入量產的PCIe Gen6資料中心SSD「Micron 9650」，專為AI訓練與推論工作負載設計，並優化於輝達BlueField-4 STX架構。
該產品最高可達28GB/s連續讀取速度，隨機讀取效能達550萬IOPS，在效能與功耗比上較PCIe Gen5產品提升一倍，特別適合高頻寬、低延遲的AI應用場景。
SOCAMM2記憶體支援高密度AI運算
美光也同步量產容量達192GB的SOCAMM2記憶體模組，應用於輝達Vera Rubin NVL72系統與Vera CPU平台。該模組主打低功耗與高容量設計，每顆CPU最高可支援2TB記憶體容量與1.2TB/s頻寬，滿足AI與高效能運算（HPC）需求。
美光強化AI記憶體布局 深化與輝達合作
美光高層表示，下一世代AI發展將仰賴計算與記憶體的高度整合設計，而HBM4將成為推動AI運算的核心引擎。透過與輝達的緊密合作，雙方可從架構初期就同步優化運算與記憶體效能。
隨著AI模型規模持續擴大，記憶體頻寬、容量與能效的重要性快速提升，美光此次同步推進HBM4、Gen6 SSD與SOCAMM2量產，也顯示AI基礎設施競爭正從單一晶片，延伸至整體系統與生態系的整合能力。
來源：wccftech
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