記者黃仁杰／台北報導
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在先進製程布局再推新進展。英特爾17日於 2026 年 VLSI 研討會宣布，Intel 18A 家族首款效能強化版本 Intel 18A-P 已正式進入風險量產階段，並維持與 Intel 18A 設計規則相容，可沿用既有 IP 與設計流程，加速客戶產品開發。
這項進展代表，英特爾在 Intel 18A 導入環繞式閘極電晶體（Gate-All-Around, GAA）與背面供電技術後，正進一步推出效能強化版本，試圖以更高效能、更低功耗與更佳散熱表現，爭取先進邏輯晶片與晶圓代工客戶。
英特爾執行副總裁暨英特爾晶圓代工總經理 Naga Chandrasekaran 表示，VLSI 研討會所分享的最新進展，展現英特爾長期投入先進製程創新的承諾。他也坦言，仍有許多工作需要持續推進，但很高興能分享 Intel 18A-P 及長期研發計畫的重要進展。
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根據英特爾公布資料，相較 Intel 18A，Intel 18A-P 在相同功耗下可提供最高 9% 效能提升；或在相同效能下，降低最高 18% 功耗，同時具備更好的散熱表現與設計彈性。
Intel 18A-P 也導入最新 Power Boost 技術，透過雙接點與低電阻電晶體設計，在相同電容條件下提升驅動電流，進一步拉高運作頻率。英特爾指出，藉由材料與設計創新，Intel 18A-P 可提升 20% 至 40% 散熱效能，並將晶片層間垂直互連通孔電阻降低 10% 至 30%，改善訊號傳輸效率。
在設計彈性方面，Intel 18A-P 新增低功耗與高效能電晶體選項，並在超低臨界電壓與低臨界電壓之間，加入第五組邏輯臨界電壓選項，讓設計人員能更細緻地平衡速度與功耗需求。對 AI 晶片、高效能運算與低功耗應用而言，這類設計彈性將是先進製程導入的重要關鍵。
除了 Intel 18A-P，英特爾也在 VLSI 研討會上進一步說明 GAA 與背面供電技術的實際效益。英特爾晶圓代工副總裁暨院士 Eric Karl 指出，相較傳統正面供電架構，背面供電結合 GAA 電晶體，可減少 11% 佈線面積，並將動態電壓驟降降低達 10 倍，進而帶來最高 6% 頻率提升，或降低超過 15% 動態功耗。
英特爾也分享採用 GAA 與背面供電技術打造的 CPU 核心實測成果，顯示在約 0.5V 的低電壓環境下，可提升 30% 運作頻率，同時降低供電電壓損失，改善整體運作效率。
這些數據顯示，英特爾正試圖把 Intel 18A 的技術亮點，從製程藍圖推向可驗證的效能成果。對晶圓代工業務而言，能否證明 GAA 與背面供電不只是技術名詞，而是能實際轉化為功耗、頻率與面積優勢，將是吸引外部客戶的關鍵。
在長期研發方向上，英特爾也展示互補式場效電晶體（CFET）、氮化鎵與矽整合電源管理技術，以及減材釕互連技術。這些技術分別瞄準未來邏輯微縮、電源效率與互連瓶頸，顯示先進製程競爭已不只侷限於電晶體本身，也延伸到供電、材料與系統整合能力。
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本篇文章授權來源：科技島
