記者林育如/編譯
南韓記憶體大廠SK海力士(SK hynix)加速布局美國AI供應鏈,8月27日在美國印第安納州舉行超過40億美元新廠動工儀式,預計2029年第三季開始量產下一代高頻寬記憶體(HBM4E)。

SK海力士CEO:供應緊張恐延續至2030年底
SK海力士執行長郭魯廷(Kwak Noh-jung)表示,人工智慧(AI)投資持續推升高頻寬記憶體需求,目前尚未看到記憶體需求明顯下滑的跡象。他預期,即使未來市場成長速度放緩,也較可能是增速降低,而非需求大幅下滑,全球記憶體供應緊張情況可能持續至2030年底。
印第安納成美國重要HBM基地 2030年擴大AI記憶體布局
SK海力士新廠位於印第安納州西拉法葉(West Lafayette)的普渡研究園區,預計2028年下半年開始無塵室運作,廠內將設置新一代HBM封裝產線,以及AI半導體研發設施。SK海力士預期,到2030年,印第安納州將成為公司在美國的重要HBM生產基地。
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公司表示,此次投資將進一步建立美國先進記憶體供應鏈,並讓生產更接近NVIDIA、微軟(Microsoft)及Google等主要客戶。這項布局也反映AI資料中心持續擴張,帶動市場對HBM等高階記憶體需求快速增加。
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HBM不是AI運算晶片 卻是AI伺服器關鍵零組件
值得注意的是,SK海力士在印第安納州布局的核心並非NVIDIA GPU這類AI運算晶片,而是AI加速器高度依賴的HBM高頻寬記憶體。HBM透過垂直堆疊記憶體晶片,提高資料傳輸速度並降低功耗,適合AI應用龐大的運算需求。
目前HBM已成為記憶體產業的重要成長動能。Reuters指出,2026年第一季SK海力士以營收計算占全球HBM市場58%,領先三星電子與美光科技各自21%的市占率。
SK海力士此次在美國擴大投資,除了因應AI記憶體需求,也有助於建立更完整的北美供應鏈。若AI基礎建設投資持續維持高檔,HBM需求可望持續成長,SK海力士提前布局美國產能,也將進一步強化其在全球高階AI記憶體市場的競爭力。
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本篇文章授權來源:科技島