記者黃仁杰／編譯
三星電子新一代HBM4高頻寬記憶體量產進展傳出突破。據韓媒《首爾經濟日報》報導，三星HBM4目前良率已逼近80%，較今年2月量產初期不到60%明顯改善，提前達到原訂年底目標，也讓三星在AI記憶體市場挑戰SK海力士的信心進一步升高。
不過，80%的良率數字目前仍來自韓媒引述業界消息，三星並未公開具體量產良率。三星官方僅表示，HBM4採用第六代10奈米級1c DRAM製程及4奈米邏輯基礎晶粒，量產初期即已取得穩定良率。
三星今年2月正式宣布HBM4量產並開始向客戶出貨。產品穩定傳輸速度達11.7Gbps，最高可提升至13Gbps；單一HBM堆疊的記憶體頻寬最高達3.3TB/s。
容量方面，三星HBM4採12層堆疊時提供24GB至36GB規格，未來透過16層堆疊則可將單一HBM容量提高至48GB。產品同時將I/O介面由上一代的1,024個增加至2,048個。
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三星表示，相較HBM3E，新一代HBM4能源效率提高40%，熱阻改善10%，散熱能力則提升30%，主要鎖定下一代AI資料中心與高效能運算系統。
隨著良率改善，三星也準備快速擴大HBM4營收。三星在7月底財報電話會議中表示，預計第三季HBM4營收將較第二季成長超過3倍；以今年下半年來看，HBM4占公司整體HBM營收比重預計將明顯超過60%。
三星並表示，目前客戶對HBM4的驗證正在陸續完成，隨著1c DRAM產能增加及良率改善，公司將持續提高供應能力。三星希望今年下半年將整體HBM市場占有率，提高至接近公司在全球DRAM市場的水準。
三星HBM4目前也已正式獲得AMD採用。三星與AMD今年3月簽署合作備忘錄，確認三星將為AMD Instinct MI455X GPU提供HBM4記憶體。MI455X屬於AMD新一代MI400系列，並將成為Helios機架級AI系統的重要運算元件。
這代表三星在HBM4世代已不只停留在產品驗證，而是開始進入新一代AI加速器供應鏈。對三星而言，能否藉由良率提高進一步擴大客戶與出貨規模，將是縮小與SK海力士差距的重要關鍵。
三星也已將產品布局延伸至下一代HBM4E。今年5月底，公司宣布開始向全球主要客戶出貨12層HBM4E樣品，單顆容量為48GB，穩定傳輸速度為14Gbps，最高可提升至16Gbps。
另據韓媒報導，三星HBM4E可靠性測試良率已提高至70%以上。這項數字同樣並非三星正式公布，但若後續量產進展順利，將有助公司延續HBM4累積的製程與封裝經驗，加快下一代AI記憶體布局。
三星今年稍早也已公開表示，HBM4E將支援最高16Gbps傳輸速度，並持續強化與輝達在下一代AI基礎設施上的合作。不過，原文所稱三星HBM4E已鎖定Rubin Ultra與AMD MI500，目前尚未見雙方正式確認，因此現階段不宜直接寫成已確定採用。
來源：wccftech
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