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應材攜手英特爾攻AI晶片 鎖定電晶體、互連與Foveros 3D封裝

記者黃仁杰/台北報導

應用材料公司宣布與英特爾(Intel)擴大合作,雙方將結合應材位於矽谷的設備與製程創新暨商業化(EPIC)中心,以及英特爾位於美國奧勒岡州希爾斯伯勒的研發園區,共同開發新一代電晶體、互連及先進封裝技術,目標縮短AI運算相關半導體技術從研發走向量產的時間。

應用材料公司宣布與英特爾(Intel)擴大合作,雙方將結合應材位於矽谷的設備與製程創新暨商業化(EPIC)中心。(圖/AI生成)

此次合作將聚焦AI工作負載所需的先進邏輯製程節點,雙方團隊共同開發新材料、製程技術與元件架構,範圍橫跨前段與後段製程,包括互連微縮等技術。

在先進封裝方面,應材與英特爾也將針對英特爾Foveros 3D堆疊技術展開合作,希望進一步提高互連密度,同時改善供電與散熱能力,以因應代理式AI工作負載帶來的高效能運算需求。

應用材料公司總裁暨執行長蓋瑞.迪克森(Gary Dickerson)表示,雙方已合作數十年,此次將透過EPIC中心進一步推進電晶體、互連及封裝技術開發,加快相關技術導入。

英特爾執行長陳立武則表示,AI運算快速成長,使晶片效能、能源效率及封裝技術面臨新的突破需求。透過與應材合作,英特爾希望加速先進技術從實驗室研發走向美國量產。

英特爾執行副總裁暨技術與營運長、Intel Foundry總經理Naga Chandrasekaran指出,隨著AI基礎設施持續擴建,晶片研發速度也必須同步提升,EPIC中心將提供雙方團隊共同開發材料與製程技術的環境。

應材位於矽谷的EPIC中心預計今年投入營運,定位為串接半導體設備、材料、製程研發與晶片製造商的共同研發平台。晶片製造商可在技術開發早期接觸應材的設備與製程,加快測試及驗證,降低從早期研發進入量產所需的時間。

隨著AI晶片持續朝更高運算密度發展,製程微縮已不再是單一技術競賽,電晶體架構、互連、供電、散熱與3D封裝必須同步演進。應材與英特爾此次合作,也將研發範圍從晶圓製造一路延伸至Foveros 3D封裝,試圖加快下一代AI晶片技術的整合與量產進程。

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本篇文章授權來源:科技島

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