記者黃仁杰／編譯
三星電子高層表示，隨著AI需求持續推升高頻寬記憶體（HBM）產能，HBM明年預計將占全球DRAM業者總晶圓產能近30%，高於目前約20%的水準。
三星電子執行副總裁Kim Taewoo指出，HBM與一般型DRAM使用相同的晶圓產能，因此業者若持續擴大HBM生產，也可能進一步壓縮標準DRAM的供應空間。
HBM是AI運算的重要零組件，透過垂直堆疊多層記憶體晶片，讓處理器能以更高速度存取大量資料。
目前全球HBM市場主要由南韓SK海力士、三星電子，以及美國美光科技三家公司主導。
隨著HBM在DRAM產能中的占比持續提高，記憶體業者如何在AI高階產品與一般型DRAM之間分配產能，也將成為明年市場供需的重要觀察重點。
來源：路透社
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